1.市面上大多數(shù)離線測量采用人工手動-接觸式渦流測膜儀-價格在1000元以內(nèi)?；蛘呤遣捎妹绹?涂魔師。光單獨測厚儀價格在45萬左右-在線噴涂測量控制線。在幾百萬以上費用。本方案結(jié)合工件離線測量。對成品工件單獨測量噴涂厚度。介紹采用-(瑞士)非接觸式光熱傳感器。結(jié)合超聲波和紅外光漫射技術(shù)測量噴涂表面厚度。具有性價比高。操作簡單優(yōu)勢?？蓽y量不同顏色。不同形狀，非接觸式測量平面以及曲面噴涂工件。通過ERP和瀏覽器實時訪問數(shù)據(jù)。云端傳輸工控機以計算機桌面顯示數(shù)據(jù)與實時打印。采用三軸模組結(jié)構(gòu)。伺服電機控制XYZ方向運動。將工件放置平臺。設(shè)置探頭測量點位。自動移動探頭位置。非接觸式測量工件表面噴涂厚度。實時傳輸?shù)焦た仄痢ｏ@示厚度值。代替了人工手動接觸式渦流測厚儀。提高了工作效率。避免無損工件表面刮痕。
第二個方案為-5軸機器人測量?？梢詼y量邊緣側(cè)面噴涂厚度。靈活性與操控性勝與三軸模型結(jié)構(gòu)。
2.
3.
粉末涂料是表面處理工藝的環(huán)保型替代材料，廣泛應用于各領(lǐng)域，如汽車、建筑和家用電器行業(yè)等。在靜電作用下施加粉末涂料，其中載有顆粒的流體經(jīng)過噴槍內(nèi)的電暈對顆粒進行充電，隨后將粉末噴在接地基板上。此時產(chǎn)生幾種物理現(xiàn)象：湍流氣流(Re max ≈1.5e5, U max ≈20m/s)，帶有相互作用的聚合物顆粒 (2μm-180μm) ，疊加的靜電場 (ψ max ≤1.2e5V) 和重力場。由于很難能夠通過實驗和數(shù)據(jù)研究所涉及到的復雜相互作用，所以在靜電噴涂領(lǐng)域的大多數(shù)研究都依靠過往經(jīng)驗。有經(jīng)濟基礎(chǔ)實力的。會配用全自動在線測量噴涂厚度控制生產(chǎn)線。
為了量化涂層質(zhì)量，試圖使用破壞式測量方法是不能獲得顆粒在基板上分布情況，要么缺乏數(shù)據(jù)研究的實驗對比，要么是基于速度場分布來間接推出涂層厚度。然而，在實際應用中得出涂層在基材上的分布情況及其厚度是十分有必要的。采用一種非接觸式測量方法對數(shù)據(jù)進行收集以及后處理量化，既能優(yōu)化工業(yè)噴涂工藝，又能有助于技術(shù)的深入開發(fā)和噴涂厚度均勻度測量與品質(zhì)把控。
2.. 使用光熱法- 3D 非接觸式測量涂層厚度
光熱法 3D在線涂層測厚系統(tǒng)能在50cm內(nèi)非接觸式測試未固化的涂層厚度。該系統(tǒng)基于先進的熱光學技術(shù)，計算機控制光源以脈沖方式加熱待測涂層。然后內(nèi)置的高速紅外探測器以一定的距離記錄時間序列中的溫度分布。隨著表面溫度的降低(這與涂層厚度和涂層材料的熱性能有關(guān))，將設(shè)備檢測范圍內(nèi)的涂層厚度分布推斷為一個彈簧磁場。涂層表面溫度降低動態(tài)變化過程具有特性。他會受到涂層厚度以及基材材料的熱性影響。涂層越薄-表面溫度降的越快。表面溫度隨著時間變化過程提供漫射波長。IN采集卡通過溫度變化與波長電壓對比，運用函數(shù)公式計算涂層厚度。不受環(huán)境-顏色。形狀而影響。
圖 3-原始數(shù)據(jù)圖像的閾值濾波。上圖是原始圖像, 像素或區(qū)域標記為：A) 通過閾值濾波消除了薄涂層達到相機最大閾值的像素集合;B)通過幾何濾波消除基板外涂層厚度值的像素集合;C)用相應的濾波去除夾具區(qū)域。下圖是經(jīng)過閾值濾波后的基板圖像，剔除了A型區(qū)域。適用于可用數(shù)據(jù)范圍的縮放。
2.3.1.2 幾何濾波
閾值濾波不需要去除所有脫離基板的像素點，如圖3所示包含區(qū)域B。由于這些像素通常都比基材小，所以可以根據(jù)幾何位置進行幾何濾波。根據(jù)圖像的行和列的位置對剩余未過濾的數(shù)據(jù)進行排序。行(r)和列(c)坐標如圖5所示。然后在幾何位置的分布上,消除的像素位置坐標低于或高于百分比 ( 低和高 ) 中定義的限制值。
圖 4- 基于幾何位置分布函數(shù)的幾何濾波。
借助公式(1)中定義的濾波函數(shù)δ進行數(shù)學表示，該函數(shù)乘以與之相關(guān)的像素i, D i 為涂層厚度值。
該濾波過程的效果如圖5所示，取極限值分別為坐標的2.5和97.5%，消除含有非零涂層厚度的數(shù)值。
圖5—在像素坐標的2.5-97.5%之間的幾何閾值。上方圖是基板的原圖像，下方圖是經(jīng)過幾何濾波。圖3中B類型的大部分像素都被消除，除了包含在白框中的像素，以及圖3中的一部分 C區(qū)域。適用于可用數(shù)據(jù)范圍的縮放。
在這種情況下，可以觀察到圖5中的白色框并不能消除所有位于基板外部的像素，最明顯表現(xiàn)在圖像的底部像素。此外，在圖像中仍然可見部分夾具區(qū)域。如果在 5-95%的坐標值之間進行閾值化，則對所有的情況進行更好濾波，如圖6所示。因此，最佳極限閾值可以經(jīng)驗所得。
圖6—在像素坐標的 5-95% 之間的幾何閾值。上方圖是基板的原圖像，下方圖是經(jīng)過幾何濾波。圖3中的區(qū)域B的大多數(shù)像素以及圖3中的區(qū)域C都已消除。適合可用數(shù)據(jù)范圍的縮放。
2.3.1.3 過濾夾具區(qū)域
在涂裝過程中用于固定基板的夾具通常具有較高的涂層厚度。因為它不屬于基材，所以需要濾去該區(qū)域。此外也要消除基板附近由夾具干擾造成的涂層像素。根據(jù)圖7所示原理圖來消除夾具區(qū)域，其中用藍色填充夾具的對應區(qū)域。基板中心的識別以及基板的行坐標和列坐標的范圍，在定義夾具區(qū)域中起著關(guān)鍵作用。
圖 7- 夾具區(qū)域示意圖
識別控制區(qū)域的兩個比值，如式(2)所示。
如果行坐標小于最小行加上夾具的高度，并且列坐標小于基板中心的坐標減去寬度 w2或大于基板中心加w1的坐標，則該數(shù)據(jù)將作為夾具區(qū)域消除。此過濾效果如圖8所示。
圖 8- 過濾夾具區(qū)域
2.3.2 平均涂層厚度 (ACT)
表征涂層質(zhì)量的首要性能參數(shù)是平均涂層厚度。在使用相同數(shù)量的粉末進行工藝比較時會直接反映效能，因為基板的平均涂層厚度越大，沉積的粉末比例就越大。因此使用上述各節(jié)的過濾過程，通過計算剩余像素的涂層厚度的平均值，就可以計算 ACT，如公式 (4) 所示。任何涂裝工藝的目的都是盡可能提高效能，因此需要盡可能提高 ACT。
公式(4)中，針對較薄涂層特別引入了面積縮放因子。在較薄涂層中，未過濾像素數(shù)量(N unfilter )遠遠小于覆蓋整個基板的像素數(shù)量。在這些情況下，如果不對整個基板面積進行縮放，而是直接計算單個未過濾像素(A i )面積的平均厚度，這將導致錯誤結(jié)果?；迕娣e(A plate )是由行坐標和列坐標的范圍確定的。在不同測量值與基板之間的范圍時，從基板面積范圍的面積(A plate )在所有標準化情況下求平均值，以消除變化影響，對于每種情況，變化通常很小。
2.3.3 中心偏移量
下一個性能參數(shù)是中心偏移量。量化該參數(shù)需要識別最高涂層厚度區(qū)域 (RHCT)。這區(qū)域包含一定比例的未過濾像素，反映出最高的涂層厚度。然后根據(jù)基板幾何中心(式(5))和區(qū)域幾何中心(式(6))的行、列坐標差值計算中心偏移量，如圖9所示。
圖9中，基板的幾何中心用紫色表示，區(qū)域的幾何中心用棕色表示?？梢杂^察到幾何中心向板底以及右邊緣移動，這表明涂層具有某種不對稱性。因此，中心偏移量將表征涂層的不對稱。
圖 9- 基板的幾何中心相對于RHCT的中心。
朝向底部的中心偏移量表示基板遠離噴槍位置，而在列坐標方向的偏移量通常表示基板不一定垂直于噴槍。
2.3.4 不均勻性
最后的性能參數(shù)是不均勻性。無論是盡可能得到均勻涂層，還是基于應用得到完全相反涂層，量化不均勻性都是至關(guān)重要。根據(jù)涂層厚度直方圖量化參數(shù)，如圖 10 所示。
圖 10- 涂層厚度直方圖
為了生成涂層厚度直方圖，將所有涂層值收集到指定數(shù)量的bin中，如圖10所示，使用了20個bin。因此，每條柱子表示在bin范圍內(nèi)包含厚度值的像素的數(shù)量。利用該直方圖中最大計數(shù)數(shù)、N max 以及對應的bin D max 的平均厚度值定義不均勻性，如式 (7)所示。
因此，不均勻性是某種形式的標準化加權(quán)標準差，其中偏差值越大，表明涂層分布較不均勻。bin i 、N i 中計數(shù)數(shù)的權(quán)重(按最大計數(shù)數(shù))可確保與最大計數(shù)厚度有較大偏差的少量像素不會支配不均勻值。
如圖 11 所示，在方框圖中可以觀察到 ACT 與電壓的變化關(guān)系?？驁D的數(shù)據(jù)由三個基板的數(shù)據(jù)組成，每個基板測有三個測量值，因此共進行了 9 次測量，如第 2.1 節(jié)所述。ACT值呈緩慢增長趨勢，在電壓約為29 kV 的恒定值時使用噴槍。
圖 11- 平均涂層厚度與電壓變化曲線和厚度等值線關(guān)系。底部特征區(qū)域標記為 A) 上邊緣薄帶, B) 中心厚帶, C) 底部厚層, D) 極薄角落, E) 中心擴散帶.
即使ACT在高壓下趨于穩(wěn)定，但中值的厚度輪廓等值線(框線圖中的紅線)明顯不同。將 24 kV 與 52 kV 輪廓線進行比較可以看出，在前一種情況下可以看到中心帶 (B) 和底部邊緣帶 (C) 處的涂層厚度較高，基板的上邊緣帶 (A) 的涂層厚度較低，而在中心擴散帶(E)將較低涂層厚度區(qū)域限制在角落(D) 上，從而產(chǎn)生更均勻的涂層。這也可以通過圖12中的不均勻圖進行定量驗證。從圖中可以看出，在10kV的最低電壓下，不均勻性處于低值，在24kV左右不均勻性升到峰值，然后在最高兩個電壓時達到最低值，這與中值情況下描述的厚度輪廓一致。
考慮10kv、24kv和52kv三種情況下涂層厚度的直方圖，可以解釋最低和最高電壓不均勻性處于同一水平的現(xiàn)象，如圖13所示。
圖 12- 電壓變化曲線和厚度等值線的不均勻性
圖 13- 在特定電壓下涂層厚度分布的直方圖
在電壓為10kv情況下，單個“bin”的像素較多，表明不均勻性較低。事實上，這種情況下的不均勻性比52 kv要低。但是，與最高“count”相關(guān)的涂層厚度值較小，因此 10 kv與最高“count”的偏差相對較大。而在52kV的情況下這種偏差很小，因為較大的涂層厚度與最高“count”有關(guān)，導致出現(xiàn)類似的不均勻值。對于中壓情況，從直方圖中也可以看出，涂層厚度值分布較大，計數(shù)較大，兩者的結(jié)合導致了不均勻性的峰值。
圖14描述了基板上的行坐標和列坐標的中心偏移量。列坐標的負值表示RHCT的中心位于基板中心左側(cè)，列坐標負值表示位于基板中心下方?？梢钥闯隽凶鴺说闹兄稻鶠檎?，但趨勢不明顯，行坐標的中值均為負，電壓越大越接近板心。
列坐標的三個選定情況，即圖 14 左側(cè)的 18、35、52 kV，在18 kV 處列坐標幾乎與基板中心對齊，然后在 35 kV 處比在 52 kV 時偏移更多。在右側(cè)，同樣可以看到行坐標在隨著電壓的增加越接近基板中心，電壓從 20 到 29 和 48 kV，這反映在行坐標中心偏移圖中。需要注意的是，特別是在中壓下，板底邊緣通常有一個厚的涂層區(qū)域 (參見圖 11 中的 C 區(qū)域)，將 RHCT 中心推向底部，在 20 kV 的情況下最為明顯。
中心偏移量還可以提供與涂裝工藝相關(guān)的重要信息。在圖14中，觀察到列坐標的中心偏移以及范圍框的大部分都位于正值范圍內(nèi)，這意味著偏移量系統(tǒng)地朝向基板中心的右側(cè)，否則，范圍框?qū)浦?。
圖 14- 列坐標和行坐標的中心偏移量隨電壓的變化。
造成這種系統(tǒng)效應的原因可能是在這種情況下的通風。在考慮行坐標的偏移時，除了10kV的極低電壓外，所有偏移量都低于基板中心，增加電壓進行接近。因為這里的系統(tǒng)效應是重力，其效果下降，因為靜電力成為主導地位，由于采用更高的電壓將RHCT的中心推向基板中心。
以上是基于測量儀器的先進熱光學技術(shù)收集涂層厚度數(shù)據(jù)，介紹了收集和處理粉末涂裝工藝實驗數(shù)據(jù)的過濾過程做以上詳細介紹。
